碳化硅晶锭厂家

恒迈瑞公司生长供应4英寸至6英寸测试D级碳化硅晶锭用于新型水导激光碳化硅切割设备测试验证用。采用PVT法生长碳化硅晶锭，单晶生长对温度和压力的要求苛刻，一般而言，碳化硅气相生长温度在2000℃~2500℃之间，而传统硅材仅需1600℃左右，单根晶锭厚度约为20mm左右，已双面磨平。以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体材料，是继硅以后最有行业前景的半导体材料之一，市场需求旺盛，主要应用于5G通讯、新能源汽车、电力电子以及大功率转换领域等战略性新兴产业。

导电型SiC衬底：通过同质外延生长和器件制造工艺，可用于制造SiC二极管、金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等功率器件。这些器件广泛应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域。

半绝缘型SiC衬底：适用7于氮化镓（GaN）外延和高电子迁移率晶体管（HEMT）等微波射频器件的制造。这类器件主要应用于5G通信、卫星通信、雷达等领域。